英特尔三星14纳米来势汹汹 台积电迎战丝印机

英特尔三星14纳米来势汹汹 台积电迎战杀毒软件

全球半导体大厂台积电、英特尔(Intel)及三星电子(SamsungEle层积木ctronics)在10纳米级多重闸极3D架构的鳍式场效电晶体(FinFET)技术展开激烈竞争，三星和英特尔为确保14纳米FinFET技术领先，纷准备投入量产，台积电则致力于16纳米FinFET技术发展。半导体业测速雷达者透露，面对竞争对手14纳米进逼，台积电亦布下天罗地网迎战，传出内部针对16纳米制程规划3个版本，且第二版本可能直接在2014年底进行试产，近期已开始说服客户导入。

本文引用地址：article/235542.htm

三星系统LSI事业部已完成14纳米FinFET设计、制程技术研发，正与应用处理器(AP)业者进行测试，三星14纳米制程除量产自主研发的行动应用处理器Exynos，亦将强化与高通(Qualcomm)、苹果(Apple)等业者合作，三星计划藉由14纳米FinFET制程世代，大举重振系统芯片事业，未来三星在代纤维板工事业发展上，14纳米FinFET制程将是相当重要的一步。

英特尔方面，14纳米FinFET制程已达到可生产芯片水准，目前生产线亦已完成稳定性验证，正在进行后段制程的封装测试。英特尔2012年在大陆成都工厂首度架构14纳米FinFET后段制程实验产线，计划2014年上半在哥斯大黎加工厂亦架设14纳米制程产线，至于英特尔行动应用处理器14纳米FinFET制程研发，则将在美国总公司内进行。

由于英特尔曾在22纳米制程引进FinFET技术，因此在14纳米FinFET制程可望领先群雄，惟14纳米FinFET制程用在行动应用处理器时能发挥多大性能，仍是未知数。三星在FinFET制程技术亦不遑多让，南韩业者表示，三星14纳米FinFET制程在应用处理器和SRAM等记忆体测试时，都获得不错成果，未来半导体三强在应用处理器和代工市场竞争将越演越烈。

面对英特尔、三星14纳米制程挑战，台积电将藉由16纳米制程全面反击，近期业界传出台积电将罕见地在同一个制程世代上，还没进入正式试产，就推出16纳米FinFET+新版本，且将在2015、2016年规划终极版，暂订为16纳米FinFETTurbo版本，显见台积电对于16纳米制程世代必胜的决心。

半导体业者透露，台积电深知16纳米世代将面临硬仗，相较于28及20纳米世代挑战大很多，遂针对16纳米制程往后3年的作战计划，已拟好3个版本陆续上阵，根据台积电规画，16纳米制程会在2014年底进行试产，届时可能会由16纳米FinFET+新版本披挂上阵，预计2015年初导入量产，成为抢下苹果下世代A9处理器芯片订单一大利器。

由于三星传出14纳米制程亦是在2014年底、2015年初进入试产，脚步紧跟着台积电，尤其三星在策略上跳过20纳米，将多数资源放在14纳米制程，就是为与台积电一较高下。半导体业者认为，台积电与三星决胜关键将是在良率和耗电量表现，由于台积电一向在先进制程良率表现突出，可望成为扳倒三星的关键点。

事实上，台积电过去一直强调20纳米是个完整的制程世代，但20纳米是为苹果量身打造，顺势量产A8处理器芯片，造成20纳米与16纳米量产时程太近，部分客户宁愿直接导入16纳米，让台积电在16纳米发展更加谨慎，以稳固先进制程市占率。

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